第62巻 第11号 目次   特集半導体エレクトロニクス  一般論文

特集 半導体エレクトロニクス (Vol.62 No.11)

論  文 (Vol.62 No.11)

ミストCVD法によるAlOx薄膜作製に対するO3支援の効果

  内田貴之・川原村敏幸・古田 守・眞田 克

663

光照射電着法によるn型窒化ガリウム上の酸化亜鉛の厚膜成長

  宇野和行・池上潤平・妻神光輝・田中一郎

668

GaAs1-x Bix およびGaAs/GaAs1-x Bix ヘテロ界面における局在準位

  冬木琢真・伊藤瑞記・角 浩輔・吉本昌広

672

生体・医療OCT光源への応用を目指した1μm帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と光学評価

  尾崎信彦・日野雄司・大河内俊介・池田直樹・杉本喜正

679

WO3を添加したMgCr2O4-TiO2系P型セラミックガス感応素子の特性

  寺田二郎・平原陽介・大松 繁・佐々誠彦・矢野満明

683


一 般 論 文 (Vol.62 No.11)

論  文 (Vol.62 No.11)

大型常圧焼結炭化ケイ素材料の溶融金属浸漬管への適用

  酒井幸文・小野光次郎・瀬古 順・兵藤利彦・近藤憲生

689

ナノロッドの引張試験手法の開発

  澄川貴志・Yabin Yan・中野拓哉・北村隆行

695

進展期のRC梁に対するデジタル画像相関法を用いた曲げひび割れ発生の早期検出方法の提案

  佃 善彦・宮里心一・畝田道雄

702

The Age Hardening Mechanism of Nanocrystalline Ni-P Alloys Synthesized by Electrodeposition English version of the paper published in “Journal of the Society of Materials Science, Japan, 61(11):912-918(2012)

  Natsu Kobayashi・Toshiyuki Uenoya・Hiroshi Fujiwara・Hiroyuki Miyamoto

710

講  座 (Vol.62 No.11)

X線CTによる地盤材料の構造の可視化 2.μX線CTによる土要素レベルの構造の可視化に関する研究

  岡二三生・肥後陽介

717

国内外トピックス (Vol.62 No.11)

第3回日独遮熱コーティングに関するワークショップ

  山崎 泰広

724

会員便り (Vol.62 No.11)

高温破壊力学,非線形破壊力学から逆問題解析へ−紫綬褒章を受章して−

  久保司郎

726